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晶体管

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APT50GT120JU3

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:4,043(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥279.7767
279.7767
5
¥270.3977
1351.9885
10
¥261.6402
2616.402
25
¥241.9669
6049.1725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
347 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT50GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.311
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:8671
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20 V, 2 A PNP medium power transistors
1:¥3.4578
10:¥2.4634
100:¥1.1526
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.7684
参考库存:6505
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3732
100:¥4.9155
500:¥4.3392
2,500:¥3.0397
10,000:查看
参考库存:5513
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
4,000:¥2.034
参考库存:11451
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.9154
参考库存:8157
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