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晶体管
STGP7H60DF参考图片

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STGP7H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
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库存:4,489(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1981
3599.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP7H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
4.6 mm
长度
15.85 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP7H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.4973
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:6813
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A
1:¥34.578
10:¥29.4252
100:¥25.5154
250:¥24.2046
参考库存:42268
晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA
1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.94468
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:8994
晶体管
MOSFET -20V -4.2A P-Channel
1:¥2.6894
10:¥2.0905
100:¥1.1413
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.73789
9,000:¥0.69156
参考库存:17994
晶体管
MOSFET Dual 30V N Channel Mosfet
1:¥8.0682
10:¥7.0738
100:¥5.4579
500:¥4.0454
2,500:¥2.8476
5,000:查看
参考库存:8812
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