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晶体管
RV3C002UNT2CL参考图片

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RV3C002UNT2CL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.4182
24.182
100
¥1.3108
131.08
1,000
¥0.9831
983.1
8,000
¥0.791
6328
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN0604-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
150 mA
Rds On-漏源导通电阻
5.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFETs
系列
RVxC
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Small Signal MOSFET
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
RV3C002UN
商品其它信息
优势价格,RV3C002UNT2CL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.29945
参考库存:16049
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM857QAS DFN1010B-6
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:16052
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
3,000:¥21.7412
参考库存:16055
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.2037
1,000:¥4.9042
参考库存:2208
晶体管
MOSFET NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM
1:¥31.3462
10:¥26.668
100:¥23.1311
250:¥21.8994
2,000:¥15.7522
4,000:查看
参考库存:3850
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