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晶体管
CSD85301Q2参考图片

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CSD85301Q2

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD85301Q2 Dual N- Channel Power MOSFET
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库存:4,300(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.842
38.42
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8193
1819.3
3,000
¥1.5481
4644.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC, 5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD85301Q2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
20 S, 20 S
下降时间
15 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns, 26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
单位重量
9.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD85301Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥75.8456
10:¥68.2294
25:¥62.1613
50:¥57.9351
参考库存:1256
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SW 600MA 40V
1:¥0.99892
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.1695
参考库存:19345
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:1290
晶体管
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
1:¥27.5833
10:¥23.4362
100:¥20.2835
250:¥19.2891
500:¥17.289
参考库存:1420
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:3884
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