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晶体管
TK3R1E04PL,S1X参考图片

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TK3R1E04PL,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
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数量单价合计
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13.447
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.5597
3779.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
128 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63.4 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
87 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
83 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1823
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