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晶体管
RGPR30NS40HRTL参考图片

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RGPR30NS40HRTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1642
3582.1
1,000
¥5.9325
5932.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
430 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
125 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGP
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
0.6 mA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGPR30NS40HRTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V
1:¥1,321.1056
5:¥1,291.6013
10:¥1,265.1706
25:¥1,246.503
参考库存:24176
晶体管
MOSFET NX3020NAK/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥1.6159
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:10840
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:73568
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA123ET/TO-236AB/REEL 11" Q3
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:23570
晶体管
MOSFET RAIL MOSFET
暂无价格
参考库存:24185
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