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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Power-56-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	13 A, 27 A
Rds On-漏源导通电阻	8 mOhms, 1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V, 1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	59 nC, 27 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	2.5 W
配置	Dual
商标名	Power Stage PowerTrench SyncFet
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	6 mm
系列	FDMS3606AS
晶体管类型	2 N-Channel
宽度	5 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值	61 S, 154 S
下降时间	2.2 ns, 3.4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2.5 ns, 5.5 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	20 ns, 36 ns
典型接通延迟时间	8.2 ns, 15 ns
单位重量	90 mg

商品其它信息

优势价格，FDMS3606AS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TPCA8026(TE12L,Q,M	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET N-CH 30V, 45A	暂无价格	参考库存:36407
STGW15H120DF2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed	1:¥45.6407 10:¥41.2676 25:¥39.3466 100:¥34.1938	参考库存:2045
JANS2N5151	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor	50:¥446.4404 100:¥440.2932	参考库存:36412
JANS2N2905A	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT	1:¥656.2927 5:¥636.3934 10:¥616.4828 25:¥588.6735	参考库存:36415
TK50E10K3(S1SS-Q)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092	暂无价格	参考库存:36418