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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Power-56-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	13 A, 27 A
Rds On-漏源导通电阻	8 mOhms, 1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V, 1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	59 nC, 27 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	2.5 W
配置	Dual
商标名	Power Stage PowerTrench SyncFet
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	6 mm
系列	FDMS3606AS
晶体管类型	2 N-Channel
宽度	5 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值	61 S, 154 S
下降时间	2.2 ns, 3.4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2.5 ns, 5.5 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	20 ns, 36 ns
典型接通延迟时间	8.2 ns, 15 ns
单位重量	90 mg

商品其它信息

优势价格，FDMS3606AS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STP11NM60FD	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp	1:¥31.9677 10:¥27.1991 100:¥23.5944 250:¥22.3627 500:¥20.0575	参考库存:2819
SIR626LDP-T1-RE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥13.8312 10:¥11.4469 100:¥8.9157 500:¥7.7631 3,000:¥6.0229 6,000:查看	参考库存:7939
FS50R17KE3_B17	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V	1:¥883.2758 5:¥865.9077 10:¥825.4876 25:¥808.1986	参考库存:1950
APT35GP120B2DQ2G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi	1:¥155.6801 10:¥141.5438 25:¥130.9331 50:¥123.7915	参考库存:34116
IPP60R125P6XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM	1:¥31.8886 10:¥27.0522 100:¥23.4362 250:¥22.2836	参考库存:2446