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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	650 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	-
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	12.5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
应用	Military Radar, Professional and Military Radio Communications
配置	Single
工作频率	DC to 6 GHz
系列	T2G
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors
零件号别名	1099997

商品其它信息

优势价格，T2G6000528-Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2SCR502EBHZGTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 0.5A 0.15W SOT-416FL	1:¥2.4634 10:¥1.7063 100:¥0.71416 1,000:¥0.48364 3,000:¥0.3842	参考库存:9837
BCP69,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13	1:¥2.9154 10:¥2.2713 100:¥1.2317 1,000:¥0.92999 4,000:¥0.79891	参考库存:24452
NVD5C478NLT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6 40V DPAK EXP	1:¥6.8365 10:¥5.7178 100:¥3.6838 1,000:¥2.9493 2,500:¥2.4973	参考库存:6342
BUK7Y98-80EX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 80 V 98 mOhm MOSFET	1:¥4.1471 10:¥3.4239 100:¥2.0905 1,000:¥1.6159 1,500:¥1.6159	参考库存:24457
PMV160UPVL	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PMV160UP/TO-236AB/REEL 11" Q3/	10,000:¥0.3842 20,000:¥0.3616 50,000:¥0.31527 100,000:¥0.30736	参考库存:24460