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晶体管
IRF1104PBF参考图片

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IRF1104PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
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数量单价合计
1
¥12.9837
12.9837
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.684
3842
1,000
¥6.3958
6395.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Preliminary
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
114 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001570050
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRF1104PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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