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晶体管
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PN4393

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • JFET 40Vgd N-Ch JFET 100 Rdson 625mW
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数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.1077
71.077
100
¥5.9212
592.12
500
¥4.5765
2288.25
1,000
¥4.1245
4124.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
JFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
12 mA
Rds On-漏源导通电阻
100 Ohms
Pd-功率耗散
625 mW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
PN43
封装
Bulk
类型
JFET
商标
Central Semiconductor
闸/源截止电压
500 mV to 3 V
最大漏极/栅极电压
40 V
工厂包装数量
2500
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，PN4393的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLR3410TRRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥4.0115
1,000:¥3.164
3,000:¥3.164
参考库存:5840
FQPF13N50C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:3062
TSM2312CX RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V N channel MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.3787
100:¥2.2939
500:¥1.582
3,000:¥1.05316
9,000:查看
参考库存:20647
IRFH7936TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:14181
SI1467DH-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
1:¥5.1528
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
3,000:¥2.6103
参考库存:8970
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