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晶体管
CSD18513Q5A参考图片

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CSD18513Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N CH MOSFET
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库存:3,771(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3901
539.01
500
¥4.7686
2384.3
2,500
¥3.3335
8333.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18513Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
89 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18513Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 4.5A 78mOhm SGL N-CH
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
参考库存:9140
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1100V/3A
1:¥7.8422
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
参考库存:5862
晶体管
MOSFET 500V N-Channel UniFET-II
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
2,500:¥3.0171
10,000:查看
参考库存:6129
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 120V 180W PNP
1:¥34.9622
10:¥29.7416
100:¥25.7414
200:¥24.4306
参考库存:4449
晶体管
MOSFET SO-8 SGL P-CH -20V
1:¥4.9155
10:¥4.0567
100:¥2.6216
1,000:¥2.1018
2,500:¥1.7628
参考库存:7859
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