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晶体管
MRF1K50H-TF3参考图片

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MRF1K50H-TF3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
¥7,203.75
7203.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
36 A
Vds-漏源极击穿电压
135 V
增益
23.7 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
系列
MRF1K50H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935337278598
单位重量
613 g
商品其它信息
优势价格,MRF1K50H-TF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT
1:¥63.5512
10:¥57.404
25:¥54.7824
100:¥47.5617
参考库存:5239
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
3,000:¥5.537
参考库存:6684
晶体管
MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4127
2,500:¥3.7855
10,000:查看
参考库存:8814
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
1,000:¥3.3222
参考库存:9813
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 12V 4A
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.9097
参考库存:7361
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