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晶体管
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2SA2120-O(Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor PNP 200V 12A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
200 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
12 A
增益带宽产品fT
25 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SA2120
高度
19 mm
长度
15.9 mm
宽度
4.8 mm
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
80 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散
200000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格，2SA2120-O(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS800R07A2E3_B31
Infineon Technologies
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IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥5,202.9155
5:¥5,119.7701
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DMN61D9UDW-7
Diodes Incorporated
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1:¥3.7629
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100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
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STD17NF03L-1
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1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
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1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
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FDMS9409-F085
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晶体管
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1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6049
500:¥6.78
1,000:¥5.3562
3,000:¥4.746
参考库存:5997
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