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晶体管
TK49N65W,S1F参考图片

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TK49N65W,S1F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
49.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK49N65W
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,TK49N65W,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7A TO220FP-3
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0511
500:¥4.4635
1,000:¥3.5143
参考库存:4440
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual MatchedNPN Tra
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:16275
晶体管
IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
800:¥9.1417
参考库存:5989
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.3KA
1:¥5,924.8273
5:¥5,830.1559
参考库存:42896
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 400V 0.5A
1:¥6.3054
10:¥5.198
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.2713
参考库存:6950
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