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晶体管
JANTX2N3810/TR参考图片

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JANTX2N3810/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:39,059(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥181.5006
18150.06
250
¥166.5846
41646.15
500
¥158.5164
79258.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-78-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
50 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
450 at 100 uA, 5 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 at 10 uA, 5 V
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JANTX2N3810/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:4602
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 65A
1:¥294.3763
5:¥287.8449
10:¥274.703
25:¥263.177
参考库存:4619
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
3,000:¥5.8421
参考库存:8105
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.0566
参考库存:6883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:8655
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