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晶体管
TSM70N600ACL X0G参考图片

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TSM70N600ACL X0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 700V, 8A, 0.6 N Channel Power Mosfet
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数量单价合计
4,000
¥6.78
27120
10,000
¥6.6444
66444
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262S-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
530 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
95 ns
典型接通延迟时间
36 ns
单位重量
1.440 g
商品其它信息
优势价格,TSM70N600ACL X0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:33299
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
250:¥650.2924
参考库存:33302
晶体管
MOSFET
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
参考库存:5552
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.1244
参考库存:33307
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMH9/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:33310
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