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晶体管
APTGLQ50H65T1G参考图片

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APTGLQ50H65T1G

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库存:31,613(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥399.6471
39964.71
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
175 W
封装 / 箱体
SP1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ50H65T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.28476
参考库存:30174
晶体管
MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
1,500:¥2.147
参考库存:7168
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
1:¥3.2318
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.52997
参考库存:11304
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V PNP
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
10,000:¥0.12317
20,000:查看
参考库存:74541
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 1A PNP/PNP low VCEsat (BISS) trans
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:5749
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