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晶体管
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TGF2160

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
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数量单价合计
100
¥132.7072
13270.72
300
¥124.0175
37205.25
500
¥115.9493
57974.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10.4 dB
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V
Id-连续漏极电流
517 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Dual
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
619 mS
通道数量
2 Channel
P1dB - 压缩点
32.5 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098617
商品其它信息
优势价格,TGF2160的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
2,500:¥5.8195
5,000:查看
参考库存:1896
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:10717
晶体管
MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:4829
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
1:¥36.1148
10:¥30.736
100:¥26.5889
250:¥25.2781
1,000:¥19.0518
2,000:查看
参考库存:2794
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:20293
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