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晶体管
STU6N65K3参考图片

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STU6N65K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650 V 1.1 Ohm 5.4 A SuperMESH3
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库存:32,835(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.6669
466.69
500
¥4.1132
2056.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
系列
STU6N65K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU6N65K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.1473
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,000:¥3.7403
参考库存:5321
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥10.9158
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥5.9212
1,000:¥4.6669
3,000:¥4.6669
参考库存:5858
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.3054
10:¥5.3901
100:¥4.1471
500:¥3.6612
1,000:¥2.8928
参考库存:3898
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:3283
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥25.199
10:¥21.357
100:¥18.5207
250:¥17.5941
2,000:¥12.5995
4,000:查看
参考库存:4467
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