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晶体管

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VS-GT100TP60N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
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库存:29,300(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥1,466.5705
35197.692
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
417 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 175 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GT100TP60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast SW SS
1:¥29.8094
10:¥26.5889
100:¥24.2046
250:¥21.8994
参考库存:3950
晶体管
MOSFET 40V 1Ohm
1:¥8.0682
10:¥7.91
25:¥6.7348
100:¥6.0907
2,000:¥4.2149
4,000:查看
参考库存:4722
晶体管
MOSFET N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
1:¥2.3843
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:39052
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 50V
1:¥3.1527
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:17687
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual - NPN/NPN
1:¥4.1471
10:¥3.5821
100:¥2.486
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:4756
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