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晶体管

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VS-GB300AH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
620 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.5 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB300AH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:6417
晶体管
MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
1:¥84.75
10:¥77.9135
25:¥74.693
100:¥65.7773
参考库存:5807
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:16395
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥315.9706
5:¥305.3599
10:¥295.4498
25:¥273.2453
参考库存:3448
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 250 Amp
1:¥624.099
5:¥611.7255
10:¥586.131
25:¥567.2374
参考库存:3435
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