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晶体管
IGB03N120H2参考图片

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IGB03N120H2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
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库存:46,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0738
7073.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
IGB03N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
9.6 A
高度
4.4 mm
长度
10.25 mm
宽度
9.9 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IGB03N120H2ATMA1 IGB3N12H2XT SP000014616
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IGB03N120H2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:5526
晶体管
MOSFET FET 1200V 5A 450mOhm Silicon Carbide SiC
1:¥60.8618
10:¥55.0197
25:¥52.4094
100:¥45.4938
250:¥43.4937
参考库存:4468
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
2,000:¥2.3956
参考库存:4583
晶体管
MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,000:¥6.0116
参考库存:5246
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
1:¥28.0466
100:¥26.9731
500:¥25.6623
参考库存:4272
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