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晶体管

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2SD1758TLP

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32V 2A
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数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.3618
43.618
100
¥2.8137
281.37
1,000
¥2.2487
2248.7
2,500
¥1.9097
4774.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD1758
直流电流增益 hFE 最大值
82 at 500 mA, 3 V
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
82
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,2SD1758TLP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5766
500:¥5.8195
5,000:¥4.068
10,000:查看
参考库存:3098
晶体管
MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:12336
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.2511
100:¥43.5728
参考库存:3989
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
1:¥45.7989
10:¥41.4145
25:¥39.4935
100:¥34.2729
参考库存:3433
晶体管
MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
3,000:¥3.4239
9,000:查看
参考库存:4454
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