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晶体管
MRFX1K80N-88MHZ参考图片

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MRFX1K80N-88MHZ

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
¥7,538.23
7538.23
5
¥7,457.2429
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10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
43 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 179 V
增益
24.4 dB
输出功率
1.8 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX1K80
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
44.7 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
3333 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935369639598
商品其它信息
优势价格，MRFX1K80N-88MHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP15NK50Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
1:¥29.9676
10:¥25.4363
100:¥22.0576
250:¥20.905
参考库存:5153
STB12NK80ZT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
1,000:¥16.4415
2,000:查看
参考库存:4851
DTC114ECAT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 "DTC114EKAT146" IS PREFERRED
1:¥2.8476
10:¥1.9662
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
3,000:¥0.59212
参考库存:7447
BSM300GA120DN2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 300A SINGLE
1:¥1,263.2496
5:¥1,232.8187
10:¥1,202.2409
25:¥1,185.4152
参考库存:4281
MMBT2907A-D87Z
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
暂无价格
参考库存:34911
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