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晶体管
DGTD120T25S1PT参考图片

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DGTD120T25S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
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库存:64,009(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.0985
49.0985
10
¥44.3412
443.412
25
¥42.3411
1058.5275
100
¥36.725
3672.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
348 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
优势价格,DGTD120T25S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
1:¥6.8365
10:¥5.6613
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
参考库存:6790
晶体管
MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3732
500:¥5.4805
3,000:¥4.0341
6,000:查看
参考库存:9013
晶体管
MOSFET NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
3,000:¥4.5991
9,000:查看
参考库存:6293
晶体管
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:4152
晶体管
MOSFET 60V 7A P channel Power Mosfet
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥2.9945
500:¥2.1922
2,500:¥1.5029
5,000:查看
参考库存:8084
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