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晶体管
DGTD120T25S1PT参考图片

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DGTD120T25S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
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库存:64,009(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.0985
49.0985
10
¥44.3412
443.412
25
¥42.3411
1058.5275
100
¥36.725
3672.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
348 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
优势价格,DGTD120T25S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4521
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:27882
晶体管
MOSFET TO-leadless, PT8, 40V
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
2,000:¥14.5996
4,000:查看
参考库存:6745
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC
1:¥6.9156
10:¥5.9438
100:¥4.5765
500:¥4.0341
1,000:¥3.1866
4,000:¥3.1866
参考库存:15316
晶体管
MOSFET 25V NCH NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
250:¥12.6786
500:¥11.0627
参考库存:6904
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:6552
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