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晶体管
DMG3418L-13参考图片

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DMG3418L-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
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数量单价合计
10,000
¥0.5763
5763
20,000
¥0.53788
10757.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
5.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Reel
系列
DMG3418
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.3 ns
典型接通延迟时间
1.9 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMG3418L-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
参考库存:2325
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:25747
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 50Vceo 5.0V 150mA 400mA 400mW
1:¥7.5258
10:¥6.1133
100:¥5.0963
500:¥3.9324
1,000:¥3.5482
参考库存:5312
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥99.0445
10:¥91.0554
25:¥87.2925
100:¥76.9191
参考库存:2328
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0003
500:¥5.2997
1,000:¥4.1923
2,500:¥4.1923
参考库存:4918
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