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晶体管
NVMFS6H852NT1G参考图片

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NVMFS6H852NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET TRENCH 8 80V NFET
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4862
64.862
100
¥4.9833
498.33
500
¥4.407
2203.5
1,500
¥3.0849
4627.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
14.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
39.5 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DN0150BDJ-7
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