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晶体管
SIHB10N40D-GE3参考图片

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SIHB10N40D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:25,880(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4354
3717.7
1,000
¥6.1585
6158.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
D
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB10N40D-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
1:¥94.355
10:¥86.8292
25:¥83.2132
100:¥73.3031
参考库存:3414
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A Field Stop Trench IGBT
1:¥35.8888
10:¥30.51
100:¥26.4307
250:¥25.1312
500:¥22.5096
参考库存:4282
晶体管
MOSFET P-CH. MOSFET BVDSS: 25V-30V, AEC-Q101
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:11598
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS4 Trench IGBT
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:3666
晶体管
MOSFET PFET DPAK 60V 12A
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
2,500:¥2.2035
参考库存:9013
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