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晶体管
2SB1316TL参考图片

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2SB1316TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 D-PACK BCE PNP DARL SMT
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库存:6,547(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.2602
62.602
100
¥4.8138
481.38
500
¥4.2488
2124.4
2,500
¥2.9832
7458
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
10 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
SMD/SMT
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1316
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
1000
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
增益带宽产品fT
50 MHz
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2SB1316
商品其它信息
优势价格,2SB1316TL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.424
500:¥4.7912
3,000:¥3.3561
9,000:查看
参考库存:3186
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 80V 40W NPN
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
参考库存:2963
晶体管
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
1:¥8.4524
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
800:¥3.8759
参考库存:4329
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.1528
参考库存:5039
晶体管
MOSFET 400V 25Ohm
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6106
100:¥7.8422
参考库存:2947
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