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晶体管
DMTH8003SPS-13参考图片

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DMTH8003SPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
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库存:6,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1755
3587.75
1,000
¥5.9438
5943.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH8003
商标
Diodes Incorporated
下降时间
20.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47.9 ns
典型接通延迟时间
12.6 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
50:¥486.4763
100:¥473.3344
参考库存:30685
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
2,500:¥2.7459
10,000:¥2.6442
25,000:¥2.5538
参考库存:30688
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:4464
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥658.5979
参考库存:30693
晶体管
IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
800:¥15.9104
2,400:¥15.142
4,800:¥14.5205
参考库存:30696
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