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晶体管
NP50P04SDG-E1-AY参考图片

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NP50P04SDG-E1-AY

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
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库存:22,079(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥6.7461
16865.25
5,000
¥6.2489
31244.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
9.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.1 mm
商标
Renesas Electronics
下降时间
180 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
405 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,NP50P04SDG-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 150Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥17.515
10:¥14.5996
100:¥11.30
500:¥9.9101
参考库存:3593
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 450A 1200V
1:¥3,830.7791
5:¥3,599.954
参考库存:3105
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:11848
晶体管
IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥27.2782
10:¥23.2102
100:¥20.0575
250:¥19.0518
参考库存:3705
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2.5/3.3V 4:1 DIFF MUX
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:7572
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