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晶体管
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FDP42AN15A0

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库存:3,923(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.142
15.142
10
¥12.8368
128.368
100
¥10.2943
1029.43
500
¥8.9948
4497.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP42AN15A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
FDP42AN15A0_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP42AN15A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
3,000:¥14.5205
参考库存:30600
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1:¥29.9676
10:¥24.1255
100:¥19.7524
500:¥17.7523
1,000:¥14.9838
参考库存:30603
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1,000:¥24.8939
3,000:¥23.6622
参考库存:30606
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
2,500:¥7.91
5,000:¥7.684
10,000:¥7.3789
参考库存:30609
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:30612
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