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晶体管
STGP40V60F参考图片

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STGP40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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库存:9,938(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.9783
179.783
100
¥15.5262
1552.62
250
¥14.7578
3689.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP40V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP40V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
1:¥94.6714
10:¥85.2133
25:¥77.6084
50:¥72.3087
参考库存:2659
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:8480
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:6383
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:5891
晶体管
MOSFET PMV90ENE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:5295
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