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晶体管
IRG4PH30KPBF参考图片

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IRG4PH30KPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
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数量单价合计
1
¥27.8884
27.8884
10
¥23.7413
237.413
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.5151
4878.775
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540542
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG4PH30KPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N2484
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥166.8219
10:¥151.6799
25:¥140.3121
50:¥132.7072
参考库存:1354
BC 817K-16 E6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:2349
2N4033
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥90.1288
10:¥81.1453
25:¥73.9246
100:¥66.6926
参考库存:1367
BCV 47 E6433
Infineon Technologies
晶体管
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:25457
FJB3307DTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 700V/8A Built-in Diode
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
800:¥3.4239
参考库存:3087
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