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晶体管
FDD86250-F085参考图片

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FDD86250-F085

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NMOS DPAK 150V 22 MOHM
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库存:6,668(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.571
757.1
500
¥6.6896
3344.8
2,500
¥4.6895
11723.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,FDD86250-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:7011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.6048
10:¥4.6104
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
参考库存:4202
晶体管
MOSFET T6 60V SO8FL
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
1,500:¥3.6612
9,000:查看
参考库存:7012
晶体管
MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
1:¥536.3432
100:¥515.7546
参考库存:4551
晶体管
MOSFET 6A, 4.1A , N+P Chann Mosfet
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:9346
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