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晶体管
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FQPF10N60C

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库存:3,630(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.5942
19.5942
10
¥16.6788
166.788
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
730 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQPF10N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
77 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
69 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
144 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
FQPF10N60C_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,FQPF10N60C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH
1:¥27.8206
10:¥23.6622
100:¥20.5208
250:¥19.436
1,000:¥14.7578
2,000:查看
参考库存:4380
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IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App
1:¥105.9601
10:¥97.4286
25:¥93.3606
100:¥82.2188
参考库存:3461
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Saturation
1:¥7.684
10:¥6.5879
100:¥5.0511
500:¥4.4748
1,000:¥3.5256
2,500:¥3.5256
参考库存:11514
晶体管
MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
1:¥7.91
10:¥6.7574
100:¥5.1867
500:¥4.5878
1,500:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:14549
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in IPAK package
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
1,000:¥4.7686
参考库存:6156
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