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晶体管
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BSM10GP120

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库存:3,217(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥653.0609
653.0609
5
¥641.0716
3205.358
10
¥612.2566
6122.566
25
¥591.8262
14795.655
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
100 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM10GP120BOSA1 SP000014914
商品其它信息
优势价格,BSM10GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 4.7kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:6015
晶体管
MOSFET 650V/80mOhm SiC CASCODE G3
1:¥87.5976
10:¥83.4505
25:¥77.2242
50:¥73.0771
参考库存:3406
晶体管
MOSFET Power MOSFET, 20V, 1A, N-Type, SOT-23
1:¥5.537
10:¥4.2827
100:¥3.2544
500:¥2.7685
3,000:¥1.9436
9,000:查看
参考库存:23632
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
2,000:¥2.0001
参考库存:5022
晶体管
IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M
1:¥3.3787
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:8924
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