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晶体管
IRFS4321TRLPBF参考图片

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IRFS4321TRLPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC Qg
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数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.9104
1591.04
250
¥15.0629
3765.725
500
¥13.5261
6763.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
350 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
130 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001565002
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFS4321TRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
参考库存:31180
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
1,000:¥32.1937
2,000:¥30.962
参考库存:31183
APTGT200DH60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:31186
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥748.3425
48:¥723.3695
72:¥713.4594
参考库存:31189
PXAC261002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:31192
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