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分立半导体模块
APTM10HM19FT3G参考图片

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APTM10HM19FT3G

  • Microsemi
  • 新批次
  • 分立半导体模块 Power Module - Mosfet
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库存:3,540(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥588.7526
588.7526
5
¥570.311
2851.555
10
¥553.022
5530.22
25
¥528.049
13201.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
分立半导体模块
RoHS
产品
Power MOSFET Modules
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SP-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
配置
Single
高度
11.5 mm
长度
73.4 mm
宽度
40.8 mm
商标
Microchip / Microsemi
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
下降时间
125 ns
Id-连续漏极电流
70 A
Pd-功率耗散
208 W
产品类型
Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1
子类别
Discrete Semiconductor Modules
商标名
POWER MOS V
典型关闭延迟时间
95 ns
典型接通延迟时间
35 ns
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
商品其它信息
优势价格,APTM10HM19FT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体模块
分立半导体模块 1800V 200A DUAL 34MM DK PCKAGE
1:¥575.1474
5:¥563.7796
10:¥540.1852
25:¥522.738
50:¥515.8224
参考库存:44214
分立半导体模块
分立半导体模块 THYR / DIODE MODULE DK
1:¥2,934.0563
5:¥2,757.2452
参考库存:3539
分立半导体模块
分立半导体模块 DRMOS MODULE
3,000:¥23.2102
参考库存:44219
分立半导体模块
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥1,543.7156
参考库存:44222
分立半导体模块
分立半导体模块
1:¥752.806
5:¥738.9748
10:¥705.7754
25:¥682.181
参考库存:3552
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