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分立半导体模块
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APT51M50J

  • Microsemi
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  • 分立半导体模块 Power MOSFET - MOS8
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数量单价合计
1
¥213.5361
213.5361
5
¥203.9311
1019.6555
10
¥197.5579
1975.579
25
¥181.5684
4539.21
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
分立半导体模块
RoHS
是
产品
Power MOSFET Modules
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
配置
Single
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
下降时间
39 ns
Id-连续漏极电流
51 A
Pd-功率耗散
480 W
产品类型
Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
上升时间
55 ns
工厂包装数量
1
子类别
Discrete Semiconductor Modules
商标名
POWER MOS 8, ISOTOP
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
45 ns
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
单位重量
30 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTC60HM24T3G
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10:¥310.6596
25:¥287.3025
参考库存:1935
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