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分立半导体模块
BSM180D12P2C101参考图片

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BSM180D12P2C101

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 分立半导体模块 Mod: 1200V 180A (no Diode)
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数量单价合计
1
¥3,342.314
3342.314
5
¥3,218.6016
16093.008
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
分立半导体模块
RoHS
产品
Power Semiconductor Modules
类型
SiC Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 22 V
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BSMx
封装
Bulk
配置
Half-Bridge
高度
21.1 mm
长度
122 mm
宽度
45.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
典型延迟时间
80 ns
下降时间
90 ns
Id-连续漏极电流
204 A
Pd-功率耗散
175 W
产品类型
Discrete Semiconductor Modules
上升时间
90 ns
工厂包装数量
12
子类别
Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间
300 ns
典型接通延迟时间
80 ns
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
BSM180D12P2C101
单位重量
50 g
商品其它信息
优势价格,BSM180D12P2C101的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体模块
分立半导体模块 2400V 800A DUAL
1:¥2,252.9488
5:¥2,198.7766
10:¥2,144.1411
25:¥2,114.0944
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分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥817.2725
参考库存:42344
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分立半导体模块 Power Module - Coolmos
100:¥426.8462
参考库存:42347
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分立半导体模块 POWER THYRISTOR MODULE
1:¥1,072.5282
10:¥1,021.5087
25:¥998.3098
50:¥975.0205
参考库存:42350
分立半导体模块
分立半导体模块 1400V 1050A SINGLE
1:¥1,253.1022
5:¥1,222.9877
10:¥1,192.6359
25:¥1,175.878
参考库存:42353
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