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分立半导体模块
BSM180D12P3C007参考图片

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BSM180D12P3C007

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 分立半导体模块 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
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1
¥3,895.562
3895.562
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
分立半导体模块
RoHS
产品
Power Semiconductor Modules
类型
SiC Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BSMx
封装
Tray
配置
Half-Bridge
商标
ROHM Semiconductor
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
典型延迟时间
50 ns
下降时间
50 ns
Id-连续漏极电流
180 A
Pd-功率耗散
880 W
产品类型
Discrete Semiconductor Modules
上升时间
70 ns
工厂包装数量
12
子类别
Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间
165 ns
典型接通延迟时间
50 ns
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
零件号别名
BSM180D12P3C007
商品其它信息
优势价格,BSM180D12P3C007的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体模块
分立半导体模块
1:¥698.8598
5:¥686.023
10:¥655.1401
25:¥633.3198
参考库存:2167
分立半导体模块
分立半导体模块 90A 600VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥1,170.8834
10:¥1,115.1744
25:¥1,089.8172
50:¥1,064.46
参考库存:2166
分立半导体模块
分立半导体模块 40A 600VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥619.4095
10:¥614.8782
25:¥600.7306
50:¥586.5943
100:¥569.5426
参考库存:42844
分立半导体模块
分立半导体模块 1200V 800A DUAL
1:¥1,755.0256
5:¥1,712.8427
10:¥1,670.2756
25:¥1,646.8394
参考库存:42847
分立半导体模块
分立半导体模块 60A, 1600V Thyristor Module
10:¥255.8772
30:¥235.1304
50:¥229.5934
100:¥218.5307
参考库存:42850
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