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分立半导体模块
APT34M120J参考图片

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APT34M120J

  • Microsemi
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  • 分立半导体模块 Power MOSFET - MOS8
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库存:1,087(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥416.6988
416.6988
2
¥409.0148
818.0296
5
¥404.4044
2022.022
10
¥392.1891
3921.891
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
分立半导体模块
RoHS
产品
Power MOSFET Modules
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
配置
Single
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
下降时间
90 ns
Id-连续漏极电流
35 A
Pd-功率耗散
960 W
产品类型
Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
上升时间
60 ns
工厂包装数量
1
子类别
Discrete Semiconductor Modules
商标名
POWER MOS 8, ISOTOP
典型关闭延迟时间
315 ns
典型接通延迟时间
100 ns
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT34M120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体模块
分立半导体模块 POWER THYRISTOR MODULE
1:¥885.581
10:¥843.3981
25:¥824.2672
50:¥805.0572
参考库存:42968
分立半导体模块
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥1,567.762
参考库存:42971
分立半导体模块
分立半导体模块 165A, 1600V Power Module
8:¥333.4856
16:¥320.1968
32:¥305.7441
56:¥301.2128
参考库存:42974
分立半导体模块
分立半导体模块 100A,1600V,Glass passivated three phase rectifier bridge,M4 Package
60:¥229.5934
120:¥218.5307
300:¥200.5524
参考库存:42977
分立半导体模块
分立半导体模块 Power Module - Diode
1:¥1,136.3054
5:¥1,108.2588
10:¥1,081.6021
25:¥1,042.3346
参考库存:42980
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