| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥642.3033
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参考库存:27637
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
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150:¥2,665.8847
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参考库存:27631
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD020N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
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1,000:¥185.7946
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参考库存:27580
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,497.0014
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参考库存:27569
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H300-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥718.9173
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参考库存:27513
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314GS/CFM4///REEL 13
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50:¥3,786.4492
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参考库存:27467
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥624.325
5:¥612.1888
10:¥591.9731
25:¥566.921
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参考库存:27446
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥912.8592
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参考库存:27403
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,170.0472
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参考库存:27330
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥1,983.0144
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参考库存:27327
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
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50:¥3,714.6716
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参考库存:27173
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥841.7822
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参考库存:27098
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
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250:¥714.838
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参考库存:27086
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS
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150:¥1,610.4873
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参考库存:26985
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,019.9719
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参考库存:26952
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:26920
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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150:¥1,073.6808
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参考库存:26874
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
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250:¥830.3353
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参考库存:26868
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011HS/CFM2F///REEL 13
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50:¥3,427.4482
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参考库存:26711
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,497.0014
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参考库存:26678
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