| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
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1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
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参考库存:16957
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
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500:¥312.8179
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参考库存:16946
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF6V12500GS/CFM2///REEL 13
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50:¥2,727.6618
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参考库存:16943
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥658.903
5:¥646.0662
10:¥624.7883
25:¥598.3576
250:¥536.5014
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参考库存:16934
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2
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250:¥723.7537
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参考库存:16927
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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150:¥1,073.6808
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参考库存:16902
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥624.325
5:¥612.1888
10:¥591.9731
25:¥566.921
250:¥508.3757
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参考库存:16894
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
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1:¥877.9761
5:¥860.9131
10:¥832.4823
25:¥797.2941
50:¥786.2992
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参考库存:16889
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
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1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
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参考库存:3536
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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1:¥83.7556
10:¥76.9982
25:¥73.6082
100:¥65.088
1,000:¥51.5619
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参考库存:4401
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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250:¥853.15
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参考库存:16876
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W
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250:¥657.5922
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参考库存:16851
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
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250:¥892.8808
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参考库存:16828
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
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250:¥908.1697
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参考库存:16796
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W
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1:¥297.4499
5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
500:¥214.6096
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参考库存:3472
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
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1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
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参考库存:16786
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
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500:¥682.1132
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参考库存:16772
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
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1:¥1,834.4759
5:¥1,795.7508
10:¥1,756.9466
50:¥1,756.9466
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参考库存:3298
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF5/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
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参考库存:16749
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:16739
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