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分立半导体
IPB80N03S4L03ATMA1参考图片

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IPB80N03S4L03ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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库存：2,547(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2885
728.85
500
¥6.441
3220.5
1,000
¥5.085
5085
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB80N03
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB80N03S4L-03 IPB8N3S4L3XT SP000274982
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB80N03S4L03ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF300R17ME3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 375A
10:¥1,288.4486
30:¥1,270.3912
参考库存:35185
BZX84C7V5
Rectron
分立半导体
稳压二极管 7.5V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35188
IRGS6B60KTRLPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 7AD2PAK
800:¥8.1473
2,400:¥7.571
4,800:¥7.2885
9,600:¥7.0173
参考库存:35191
BZX84C8V2
Rectron
分立半导体
稳压二极管 8.2V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35194
RF201L2STE25
ROHM Semiconductor
分立半导体
整流器 DIODE FAST REVERY 200V 2A
1,500:¥1.1978
参考库存:35197
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