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分立半导体
IRGS6B60KTRLPBF参考图片

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IRGS6B60KTRLPBF

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数量单价合计
800
¥8.1473
6517.84
2,400
¥7.571
18170.4
4,800
¥7.2885
34984.8
9,600
¥7.0173
67366.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
13 A
Pd-功率耗散
90 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RC
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001540974
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS6B60KTRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1600 Volt 3000 Amp
1:¥1,510.6744
5:¥1,474.3336
10:¥1,437.6764
25:¥1,417.5398
参考库存:41056
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
1,500:¥4.2488
9,000:¥4.0906
参考库存:41059
分立半导体
整流器 ENHANCED ULTRAFAST POWER DIODE
1:¥7.1416
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:41062
分立半导体
MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
1:¥44.5672
10:¥37.8776
100:¥32.8152
250:¥31.1202
3,000:¥22.3627
参考库存:8394
分立半导体
双向可控硅 600V 8A 33/43V
1:¥19.7524
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:41067
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