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分立半导体
GBJ2008-F参考图片

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GBJ2008-F

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库存:25,354(价格仅供参考)
数量单价合计
15
¥16.5206
247.809
105
¥13.221
1388.205
510
¥11.6051
5918.601
1,005
¥9.605
9653.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
桥式整流器
RoHS
是
类型
Single Phase Bridge
安装风格
Through Hole
端接类型
Through Hole
封装 / 箱体
GBJ
峰值反向电压
800 V
Vf - 正向电压
1.05 V
最大浪涌电流
240 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
长度
30.3 mm
宽度
4.8 mm
高度
24.5 mm
系列
GBJ2008
封装
Tube
产品
Bridge Rectifiers
商标
Diodes Incorporated
Ir - 反向电流
10 uA
产品类型
Bridge Rectifiers
工厂包装数量
15
子类别
Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压
560 V
商品其它信息
优势价格,GBJ2008-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:5220
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:23982
分立半导体
MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
1,000:¥9.1417
参考库存:3305
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SS SWCH DIO SPCL
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:20573
分立半导体
整流器 HIGH VOLTAGE
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
800:¥5.8647
参考库存:3710
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