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分立半导体

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3135
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	15 at 10 mA at 2 V, 151 mA at 2 V, 150.1 mA at 2 V, 1510 mA at 5 V, 151 mA at 5 V, 150.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	7000 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	7000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

优势价格，HFA3135IHZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BZT585B3V6T-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 350mW 3.6V Zener AEC-Q101 Qualified	1:¥1.695 10:¥1.13 100:¥0.47686 1,000:¥0.32318 3,000:¥0.25312	参考库存:10729
APT60D20BG	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - D	1:¥45.5616 10:¥36.5781 25:¥35.9566 100:¥33.3463	参考库存:3771
BFP843H6327XTSA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS	1:¥3.616 10:¥2.938 100:¥1.7967 1,000:¥1.3899 3,000:¥1.1865	参考库存:8309
NGTG25N120FL2WG	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 1200V/25 FAST IGBT ONLY F	1:¥35.8097 10:¥30.4309 100:¥26.4307 250:¥25.0521 500:¥22.5096	参考库存:3806
V20200C-E3/4W	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual TrenchMOS	1:¥13.447 10:¥11.1418 100:¥8.6784 500:¥7.5484 1,000:¥6.2602	参考库存:4369