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分立半导体

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BSM50GP60

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数量单价合计
1
¥898.5647
898.5647
5
¥882.0441
4410.2205
10
¥842.3924
8423.924
25
¥814.278
20356.95
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GP60BOSA1 SP000100380
商品其它信息
优势价格，BSM50GP60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3821AUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
108:¥66.0824
250:¥60.3194
500:¥55.0197
1,000:¥46.5673
参考库存:52561
JANTXV1N749C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥83.3714
173:¥83.3714
200:¥75.9925
500:¥71.1561
1,000:¥65.2349
参考库存:52564
JAN1N986CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥81.8346
250:¥74.6139
500:¥69.8453
1,000:¥64.0032
参考库存:52567
1N5276BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥40.567
176:¥40.567
200:¥37.2674
500:¥33.9678
1,000:¥29.5834
参考库存:52570
GC1718-00
Microsemi
分立半导体
变容二极管
100:¥79.2243
250:¥72.2296
500:¥67.5401
1,000:¥61.9353
参考库存:52573
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